实用新型专利申请书(集成电路)

名称：一种同时匹配的低噪声放大器

说明书摘要

本实用新型公开了一种同时匹配的低噪声放大器（lownoiseamplifier-lna），特别涉及一种应用在集成电路（integratedcircuit）设计中的同时匹配的低噪声放大器。本实用新型首先通过一个源简并电感（sourcedegenerationinductance）串联在mos晶体管的源极以提供串联负反馈效应，使

*得mos管栅极的输入阻抗zin和噪声最优源阻抗zopt满足zinzopt；然后利用一个l型输入匹配网络，将mos管的栅极匹配到信号源，从而使得本低噪声放大器的输入级同时实现了噪声匹配和功率增益匹配，不仅能够达到低噪声放大器的最小噪声系数nfmin，而且实现了功率的最大传输；最后利用一个l型输出匹配网络，实现mos管的漏极与负载之间的匹配。本实用新型能够利用功耗约束噪声优化技术（power-constrainednoiseoptimizationtechnique）选择mos管m1的适当尺寸，在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入端的同时匹配。

摘要附图

权利要求书

1、一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，用集成电路（integratedcircuit）工艺实现，即将有源和无源元器件制作在同一块半导体基片上来实现低噪声放大器的设计，并且在输入级能够同时实现噪声匹配和功率匹配设计。

2、如权利要求1所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，包括：mos晶体管m1作为放大器件按照共源结构连接；源简并电感ls（sourcedegenerationinductance）连接在mos管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使mos管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭；电容c1和电感l1组成一个l型输入匹配网络，其中一端与mos管栅极相连，另一端通过隔直电容cc与信号源连接；电容c2和电感ld组成一个l型输出匹配网络，其中一端与mos管漏极相连，另一端与负载连接；限流电阻rd一端于电源vdd相连，另一端与ld相连；一个电流镜电路由晶体管m

2、电阻器r1和r2组成，m2的栅极和漏极相连，源极接地电位，r1的一端与电源vdd相连，另一端与m2的漏极相连，r2的一端与m2的栅极相连，另一端连接在cc和l1的公共连接点上。

3、如权利要求2所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其中，通过利用功耗约束噪声优化技术（power-constrainednoiseoptimizationtechnique）选择mos管m1的适当尺寸，从而在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入端的同时匹配。

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种同时匹配的低噪声放大器（lownoiseamplifier-lna），特别涉及一种应用在集成电路（integratedcircuit）设计中的同时匹配的低噪声放大器。