电力电子技术总结

篇一：电力电子技术期末总结

#绪论：

1.电子技术的两大分支是什么。信息电子技术与电力电子技术*2.简单解释电力电子技术。

使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，即应用于电力领域的电子技术。

3.要学习的4种电力电子器件是什么。

器件。电力二极管、晶闸管、igbt、powermosfet四种。*4.电力变换器有哪几种。

交流变直流、直流变交流、直流变直流、交流变交流*5.电力电子技术的应用。

一般工业：电化学工业；交通运输：电动汽车、航海；电力系统：柔性交流输电、谐波治理、智能电网；电子装置电源；家用电器：变频空调；其他：航天飞行器、发电装置。#第一章：

1.*电力电子器件的分类：

半控型：晶闸管；全控型：电力mosfet、igbt；不可控型：电力二极管；电流驱动型：晶闸管；电压驱动型：电力mosfet、igbt；

2.*应用电力电子器件的系统组成：

由控制电路和驱动电路和电力电子器件为核心的主电路组成。

3.电导控制效应：

5.电力二极管的主要参数：正向平均电流if（av）、正向压降uf、反向重复峰值电压urrm、最高工作结温tjm、反向恢复时间trr、浪涌电流ifsm

6.电力二极管的类型：普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管7.晶闸管的静态特性和动态特性：

a

p

1

a

kk

g

a

ag

a）

b）

j1j2j3

ak

n12

n2k

a

g

p1n1p2n2kb）

g

g

p2

c）

a）

u

8.晶闸管的主要参数：电压定额、电流定额、动态参数

9.电力mosfet的基本特征：

g

dd

a）

g

n沟道

p沟道b）

图1-20电力mosfet的转移特性和输出特性a）转移特性b）输出特性

漏极电流id和栅源间电压ugs的关系称为mosfet的转移特性

id较大时，id与ugs的关系近似线性，曲线的斜

did率定义为跨导gfs

gfs。

du

gs

id/a

id/a

tugs/v

a）

gstuds/vb）

图1-20

+uuugugut

ib）

图1-21

a）

10.igbt基本特征：

发射极栅极

a）

b）

ic

g

c）

ige（th）

a）

ge

（1）开关速度高，开关损耗小。在电压1000v以上时，开关损耗只有gtr的1/10，与电力mosfet相当（2）相同电压和电流定额时，安全工作区比gtr大，且具有耐脉冲电流冲击能力（3）通态压降比vdmosfet低，特别是在电流较大的区域（4）输入阻抗高，输入特性与mosfet类似

（5）与mosfet和gtr相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点

优点：开关速度高，输入阻抗高，为电压驱动，最全面的范文参考写作网站驱动功率小，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，

安全工作区：正偏安全工作区（fbsoa）——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定

反向偏置安全工作区（rbsoa）——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duce/dt确定

11、电力电子器件的驱动基本任务、作用和隔离方法：

1.将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号。对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号；

2.使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。对器件或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现；

3.

一般采用光隔离或磁隔离。